Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXA12IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through)

 

Блок-схема

IXA12IF1200HB, IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through)

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 13
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 1.8
td(on) (тип.),нс 70
tr (тип.),нс 40
td(off) (тип.),нс 250
tf (тип.),нс 100
EON (тип.),мДж 1.1
EOFF (тип.),мДж 1.1
PD,Вт 85
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247
Datasheet
 
IXA12IF1200HB (149.1 Кб), 09.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXA12IF1200HB IGBT-транзистор, 1200 В, 20 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) (149.1 Кб), 09.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1170 		Дата публикации: 09.02.2012 12:51
Дата редактирования: 09.02.2012 12:53

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники