+ TSG25N120CN , IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

TSG25N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом

 

Блок-схема

TSG25N120CN , IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 25
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 2.5
td(on) (тип.),нс 57
tr (тип.),нс 65
td(off) (тип.),нс 240
tf (тип.),нс 160
EON (тип.),мДж 6.22
EOFF (тип.),мДж 1.31
PD,Вт 312
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-3PN
Datasheet
 
TSG25N120CN (412.1 Кб), 07.06.2013

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Где купить ещё

Datasheet

TSG25N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом (412.1 Кб), 07.06.2013



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1325 		Дата публикации: 07.06.2013 07:51
Дата редактирования: 07.06.2013 07:53

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники