IGW50N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 50А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5
Блок-схема Группа компонентов IGBTОсновные параметры
Общее описаниеОтличительные особенности:
Преимущества IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 5:
Область применения:
|
Поставки и консультации: |
Datasheet
IGW50N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 50А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 (2.1 Мб), 27.12.2013
Автор документа: Жанна Свирина,
|
Дата публикации: 27.12.2013 16:15 Дата редактирования: 27.12.2013 16:16 |