Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGD3HF60WD Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 3 А STMicroelectronics IGBT
600 - 100 1.8 - - - - - - - Да -55 ... -150 D-PAK
STGD10NC60HD Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
600 10 - 2.5 - - - - - - 62 Да -55 ... -150 D-PAK
STGP10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 TO-220
STGF10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 6 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 6 - 1.6 - - - - - - 30 Да -40 ... 175 TO-220FP
STGD10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D-PAK
STGB10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 10 100 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D2-PAK
STGP14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 14 - 2.1 - - - - - - 95 Да -40 ... -175 TO-220
STGF14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
600 7 100 2.1 - - - - - - 33 Да -40 ... -175 TO-220FP
STGWS38IH130D Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А STMicroelectronics IGBT
1300 25 - 2.8 - - - - - - 180 Да -55 ... -150 TO-247
IXGT22N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT IXYS IGBT
1700 22 90 2 50 55 - - 2 - 210 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH22N170 IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT IXYS IGBT
1700 22 90 2 50 55 - - 2 - 210 Нет -55 ... 150 TO-247AD
STGW45HF60WDI Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
600 50 100 1.9 - - - - - - 310 Да -55 ... 150 TO-247
TO-247LL
IFS200V12PT4 IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ Infineon Technologies IGBT
1200 200 100 2.15 40 - 500 - 21.3 20 - Нет -40 ... 65 EconoPACK™ 4
STGW45HF60WD Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В STMicroelectronics IGBT
600 45 100 1.9 - - - - - - 250 Да -55 ... 150 TO-247
IFS150V12PT4 IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ Infineon Technologies IGBT
1200 150 100 2.15 40 - 500 - 15 13.9 - Нет -40 ... 65 EconoPACK™ 4
IFS100V12PT4 IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ Infineon Technologies IGBT
1200 100 100 2.15 - - - - 10.2 8 - Нет -40 ... 65 EconoPACK™ 4
GT40QR21 Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А Toshiba IGBT
1200 40 25 1.5 0.00018 0.00012 0.0004 0.0002 - 0.16 230 Да -55 ... 175 TO-3P
FGH75T65SQD IGBT-транзистор на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения, 650 В, 75 А Fairchild Semiconductor IGBT
650 75 100 2.1 23 10 120 7 300 70 375 Да -55 ... 175 TO-247
IKA15N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 14 25 1.65 17 7 160 10 0.12 0.05 33.3 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKP15N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
650 30 25 1.65 17 7 160 10 0.12 0.05 105 Да -40 ... 175 TO-220
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019