Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
STGD3HF60WD | Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 3 А | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | - | 100 | 1.8 | - | - | - | - | - | - | - | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
|
STGD10NC60HD | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 2.5 | - | - | - | - | - | - | 62 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
|
STGP10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |
|
STGF10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 6 А, с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 6 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 30 | Да | -40 ... 175 |
|
|
STGD10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | - | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
D-PAK |
|
STGB10HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 10 | 100 | 1.6 | - | - | - | - | - | - | 80 | Да | -40 ... 175 |
D2-PAK |
|
STGP14HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 14 | - | 2.1 | - | - | - | - | - | - | 95 | Да | -40 ... -175 |
TO-220 |
|
STGF14HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.1 | - | - | - | - | - | - | 33 | Да | -40 ... -175 |
|
|
STGWS38IH130D | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А | STMicroelectronics |
IGBT |
1300 | 25 | - | 2.8 | - | - | - | - | - | - | 180 | Да | -55 ... -150 |
|
|
IXGT22N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 22 | 90 | 2 | 50 | 55 | - | - | 2 | - | 210 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
IXGH22N170 | IGBT-транзистор, 1700 В, 40А, технология NPT | IXYS |
IGBT |
1700 | 22 | 90 | 2 | 50 | 55 | - | - | 2 | - | 210 | Нет | -55 ... 150 |
|
|
STGW45HF60WDI | Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 50 | 100 | 1.9 | - | - | - | - | - | - | 310 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IFS200V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ | Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 200 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 21.3 | 20 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
|
STGW45HF60WD | Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 45А, 600В | STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 45 | 100 | 1.9 | - | - | - | - | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
|
IFS150V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ | Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 150 | 100 | 2.15 | 40 | - | 500 | - | 15 | 13.9 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
|
IFS100V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ | Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 100 | 100 | 2.15 | - | - | - | - | 10.2 | 8 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
|
GT40QR21 | Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А | Toshiba |
IGBT |
1200 | 40 | 25 | 1.5 | 0.00018 | 0.00012 | 0.0004 | 0.0002 | - | 0.16 | 230 | Да | -55 ... 175 |
|
|
FGH75T65SQD | IGBT-транзистор на основе технологии Fieldstop четвёртого поколения, 650 В, 75 А | Fairchild Semiconductor |
IGBT |
650 | 75 | 100 | 2.1 | 23 | 10 | 120 | 7 | 300 | 70 | 375 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IKA15N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 14 | 25 | 1.65 | 17 | 7 | 160 | 10 | 0.12 | 0.05 | 33.3 | Да | -40 ... 175 |
|
|
IKP15N65H5 | IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 | Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | 25 | 1.65 | 17 | 7 | 160 | 10 | 0.12 | 0.05 | 105 | Да | -40 ... 175 |
TO-220 |