Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
TSG60N100CE | IGBT-транзистор на 1000В, 60А со встроенным ограничительным диодом | Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1000 | 42 | 100 | 2.5 | 230 | 210 | 1250 | 230 | 22 | 11 | 208 | Да | -55 ... 150 |
|
|
TSG40N120CE | IGBT-транзистор на 1200В, 64А со встроенным ограничительным диодом | Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1200 | 40 | 100 | 2.8 | 41 | 82 | 200 | 170 | 8.7 | 2.3 | 208 | Да | -55 ... 150 |
|
|
TSG25N120CN | IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом | Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1200 | 25 | 100 | 2.5 | 57 | 65 | 240 | 160 | 6.22 | 1.31 | 312 | Да | -55 ... 150 |
TO-3PN |
|
TSG15N120CN | IGBT-транзистор на 1200В, 30А со встроенным ограничительным диодом | Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1200 | 15 | 100 | 1.9 | 34 | 106 | 192 | 94 | 2.1 | 0.54 | 184 | Да | -55 ... 150 |
TO-3PN |
|
TSG10N120CN | IGBT-транзистор на 1200В, 21А со встроенным ограничительным диодом | Taiwan Semiconductor |
IGBT |
1200 | 10.5 | 100 | 2.7 | 30 | 13 | 130 | 460 | 0.3 | 0.5 | 125 | Да | -55 ... 150 |
|
|
T2400GB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 2400 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
4500 | 2400 | - | 2.8 | 1700 | 3800 | 6000 | 1900 | 15000 | 14000 | 19000 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
|
T2250AB25E | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 2250 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
2500 | 2250 | - | 2.05 | 1200 | 2700 | 1800 | 8500 | 5300 | 3700 | 11800 | Нет | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W71 |
|
T1800GB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1800 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
4500 | 1800 | - | 2.8 | 1600 | 3300 | 4000 | 2000 | 12600 | 9500 | 13700 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
|
T1600GB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1600 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
4500 | 1600 | - | 2.75 | 2200 | 4400 | 5100 | 2300 | 14000 | 8700 | 12800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W45 |
|
T1200TB25A | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 120 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
2500 | 1200 | - | 2.15 | 1000 | 2500 | 1500 | 8300 | 2800 | 2000 | 5900 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
|
T1200EB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1200 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
4500 | 1200 | - | 2.8 | 1800 | 3000 | 1600 | 2200 | 5700 | 5100 | 12500 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
|
T0900EB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 900 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
4500 | 900 | - | 3.05 | 2400 | 3200 | 1900 | 2400 | 3800 | 3600 | 7100 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
|
T0900DF65A | Press-Pack IGBT транзистор | IXYS |
IGBT |
6500 | 900 | 25 | 3.6 | 1600 | 3100 | 4500 | 2300 | 6500 | 5300 | 10600 | Да | -40 ... 125 | - | |
T0850VB25E | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 850 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
2500 | 850 | - | 2.05 | 1100 | 2000 | 1500 | 6000 | 2000 | 1400 | 4400 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W67 |
|
T0800TB45E | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
4500 | 800 | - | 2.8 | 2000 | 4000 | 4500 | 2100 | 7000 | 4300 | 6400 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
|
T0800EB45G | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
4500 | 800 | - | 2.8 | 2000 | 3000 | 1600 | 2100 | 4100 | 4500 | 6600 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
|
T0600TB45A | Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 600 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
4500 | 600 | - | 2.9 | 1400 | 2100 | 1200 | 1500 | 1800 | 2000 | 4800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W44 |
|
T0570VB25G | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 570 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
2500 | 570 | - | 2.1 | 1000 | 2500 | 1500 | 9300 | 1400 | 950 | 2960 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W67 |
|
T0500NB25E | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 500 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
2500 | 500 | - | 2.05 | 1000 | 2200 | 1200 | 7800 | 1200 | 840 | 2600 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W40 |
|
T0360NB25A | Высоковольтные IGBT транзисторы 2500В, 360 А с технологией Press-Pack | IXYS |
IGBT |
2500 | 360 | - | 2.1 | 950 | 2000 | 1300 | 7500 | 850 | 600 | 1800 | Да | -40 ... 125 |
Press-Pack Capsule W40 |