Компоненты группы IGBT-транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
IRG7PH50U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В | International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 90 | 100 | 1.7 | 35 | 40 | 430 | 45 | 3.6 | 2.2 | 556 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
|
NGTB15N120FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 15 А | ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 15 | 100 | 2.4 | 64 | 104 | 132 | 173 | 1.2 | 0.37 | 147 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXXK160N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 1.8 | 52 | 64 | 220 | 90 | 3.3 | 1.88 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
FGH40T100SMD | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1000 В, выполненный по технологии Field Stop Trench | Fairchild Semiconductor |
IGBT |
1000 | 40 | 100 | 1.9 | 38 | 55 | 371 | 30 | 3.1 | 1.5 | 166 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXXX200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.4 | 46 | 94 | 180 | 215 | 4.4 | 3.45 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
NGTG25N120FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 25 А | ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 25 | 100 | 2.4 | 87 | 74 | 179 | 136 | 1.95 | 0.6 | 192 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXX160N65B4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 1.8 | 52 | 64 | 220 | 90 | 3.3 | 1.88 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXK200N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.4 | 46 | 94 | 180 | 215 | 4.4 | 3.45 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
NGTB25N120FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 25 А | ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 25 | 100 | 2.4 | 87 | 74 | 179 | 136 | 1.95 | 0.6 | 192 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXXK160N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 2.1 | 52 | 67 | 197 | 30 | 3.5 | 1.3 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXX200N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.6 | 47 | 96 | 150 | 90 | 4 | 2.1 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IRG7PH46U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В | International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 75 | 100 | 1.7 | 45 | 40 | 410 | 45 | 2.56 | 1.78 | 469 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
|
NGTB30N120FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 30 А | ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 30 | 100 | 2.3 | 98 | 35 | 210 | 130 | 2.6 | 0.7 | 227 | Да | -55 ... 175 |
|
|
IXXX160N65C4 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 160 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 160 | 110 | 2.1 | 52 | 67 | 197 | 30 | 3.5 | 1.3 | 940 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXK200N60C3 | IGBT-транзистор, 600 В, 200 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 200 | 110 | 1.6 | 47 | 96 | 150 | 90 | 4 | 2.1 | 1630 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IXXK110N65B4H1 | IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) | IXYS |
IGBT |
650 | 110 | 110 | 2.1 | 38 | 46 | 156 | 85 | 2.2 | 1.05 | 880 | Да | -55 ... 175 |
|
|
NGTB20N135IHR | IGBT-транзистор с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 1350 В и током коллектора 20 А, выполненный по технологии Field Stop | ON Semiconductor |
IGBT |
1350 | 20 | 100 | 2.2 | - | - | 245 | 175 | - | 0.6 | 197 | Да | -40 ... 175 |
|
|
IXXH100N60B3 | IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц | IXYS |
IGBT |
600 | 100 | 110 | 1.5 | 32 | 60 | 150 | 200 | 2.3 | 2.8 | 830 | Нет | -55 ... 175 |
|
|
IRG7PH42U | Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В | International Rectifier (IRF) |
IGBT |
1200 | 60 | 100 | 1.7 | 25 | 32 | 229 | 63 | 3.186 | 2.153 | 385 | Нет | -55 ... 175 |
TO-247AC |
|
NGTG40N120FL2WG | IGBT-транзистор серии LF2, 1200 В, 40 А | ON Semiconductor |
IGBT |
1200 | 40 | 100 | 2.4 | 116 | 42 | 286 | 121 | 3.4 | 1.1 | 267 | Нет | -55 ... 175 |
|